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MUBW 50-12 T8
Input Rectifier Bridge D11 - D16
A s
I t
100
80
60
500
A
400
I FSM
300
T VJ = 45°C
2
10 4
2
T VJ = 45°C
I F
[A]
40
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
200
T VJ = 150°C
10 3
T VJ = 150°C
20
100
0
0.4
0.6
0.8 1.0
V F [V]
1.2
1.4
0
0.001
50Hz, 80% V RRM
0.01
0.1
t
s
1
10 2
1
2
3
4
t
5 6 7 8 9 10
ms
Fig.   Typ. forward current vs.
voltage drop per diode
450
400
W
350
P tot 300
250
200
150
100
50
R thA :
0.05 K/W
0.15 K/W
0.3 K/W
0.5 K/W
1 K/W
2 K/W
5 K/W
160
A
140
120
100
I d(AV)
80
60
40
20
0
0
20
40
60
A
80 100 120 140 160 180 0
I d(AV)M
20
40
60
80 100 120 140 C
T amb
0
0
20
40
60
80 100 120 140 C
T C
1
Z thJC
0.1
[K/W]
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
t [s]
Fig. 2 Transient thermal impedance junction to case
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2006 IXYS All rights reserved
5-7
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